首页 | 登录 | 会员免费注册 |
产品信息 求购信息 企业名录 行业资讯 展会资讯 照明书籍
商务通会员
综合要闻 企业新闻 居家灯饰 灯饰知识 商情互递 行业技术 政策法规 照明标准 认证知识
新闻搜索
您当前位置: 首页 >> 行业资讯 >> 行业技术资讯 >> 查看资讯信息

西安电子科技大学研出柔性紫光LED

发布时间:2019/12/4 信息来源:网络
分享到:

    西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机,创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管,相关研究成果在国际权威期刊《Advanced Optical Materials》上发表。

  GaN基半导体LED具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等优点,是人类史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场革命。随着可穿戴技术的发展,未来柔性半导体技术将逐步成为主流,柔性GaN 的备成为当今国际高度关注的研究热点。
 
  由于大尺寸的氮化物衬底成本高昂,氮化物薄膜通常是基于蓝宝石、硅等异质材料衬底进行外延生长。而晶体衬底与氮化物之间存在严重的晶格失配,使得外延GaN 薄膜内具有很大的应力,并产生众多的穿透位错,从而导致LED器件发光效率降低。因此,低应力、高质量的GaN薄膜的备对于LED性能的提升显得尤为重要。
 
  目前,激光剥离技术是备柔性GaN的主要方法,但是激光能量密度分布不均匀使得氮化镓薄膜突起破裂,很难得到大面积连续无损的氮化镓薄膜,使得GaN的柔性器件发展受到严重阻碍。
 
  该团队研究并发现了氮化物在石墨烯上的选择性成核机理,找到了AlN的最佳成核位点,成功备出高质量、无应力的GaN外延层。并通过优化剥离工艺,实现了GaN外延层的低损伤、大面积剥离转移。基于该柔性GaN材料备的紫光发光二极管在小电流下实现了超高光输出功率。研究成果证了剥离转移可以实现GaN基柔性以及LED在未来实现高质量垂直结构的可能性。

  研究成果发表于:Yanqing Jia, Jincheng Zhang,* Jing Ning, Dong Wang, Yue Hao et al., Advanced Optical Materials, 2019, DOI:10.1002/adom.201901632. 《Advanced Optical Materials》是光学领域的国际顶级期刊,属于SCI一区TOP期刊。



免责声明:信息来源于互联网、期刊杂志或由作者提供,其内容并不代表本网观点,仅供参考。如有侵犯您的版权或其他有损您利益的行为,我们会立即进行改正并删除相关内容。
打印 打印该页

相关资讯 更多资讯
最新资讯
热门资讯


灯饰照明网 版权所有 2006-2016 | 关于我们 | 服务条款 | 联系我们 | 客服电话:0311-68002582